در این پایان‌نامه به شبیه سازی و ساخت یک ترانزیستور دو‌قطبی پیوند ناهمگون مبتنی بر اکسید مس CuO و سیلیکان پرداخته می‌شود. از آنجا که گاف انرژی اکسید مس در تمامی فازها نسبت به سیلیکان بیشتر است، ساختار انتخاب شده به صورت p-CuO/n-Si/p-CuO می‌باشد که از سیلیکان برای لایه بیس و از اکسید مس برای لایه‌های امیتر و کلکتور استفاده شده ‌است.

در بخش شبیه سازی، به تحلیل و بررسی ساختار دو بعدی ترانزیستور با استفاده از ابزار TCAD نرم افزار سیلواکو پرداخته شده است. به علت متغییر بودن ویژگی‌های الکتریکی و نوری اکسید مس با توجه به شرایط لایه‌نشانی، تاثیر عوامل موثر بر مشخصات خروجی ترانزیستور، ازجمله گاف انرژی، تاثیر کاهش ضخامت لایه بیس و همچنین آلایش مختلف نواحی بیس، امیتر و کلکتور، جهت بهینه‌سازی ساختار بررسی گردید. همچنین تجزیه و تحلیل نتایج شبیه سازی ترانزیستور مورد بررسی، از جمله بهره AC و DC، نمودار باند انرژی و نمودار گامل، متناظر با تئوری‌های ترانزیستور دو قطبی ارائه شده است.

پنج طرح مختلف برای ساخت این ترانزیستور پیشنهاد و با توجه به امکانات آزمایشگاه لایه نازک ساخته شد. با توجه به مشخصه‌های خروجی اندازه‌گیری شده، به ازای ضخامت  µm۱۵ لایه بیس، بهره جریان DC حدود ۳۰ بدست آمد. همچنین مشخصات خروجی ترانزیستور برای کاربرد به عنوان فتوترانزیستور بررسی و نمودارهای مربوطه‌ی آن ارائه شده است.

نام و نام خانوادگی دانشجو: میلاد یوسفی زاد

مقطع: ارشد

گروه آموزشی:الکترونیک